Diapozitiv 1
|
|
|
- Dejan Pavlič
- pred 4 leti
- Pregledov:
Transkripcija
1 RAČUNALNIŠKA ARHITEKTURA 8 Pomnilniške tehnologije RA , Škraba, Rozman, FRI
2 Pomnilniške tehnologije - cilji 8 Pomnilniške tehnologije - cilji: Osnovno razumevanje pojmov: Hitrost in način dostopa navadni, asociativni Statični, dinamični RAM Sinhronski dinamični RAM (SDRAM) Razumevanje pomnilniških tehnologij: Sinhronski (cevovodni) način delovanja (SDRAM) Bliskovni (Flash) pomnilniki SSD, HDD diski RA , Škraba, Rozman, FRI
3 Pomnilniške tehnologije - vsebina 8 Pomnilniške tehnologije 8.1 Lastnosti pomnilniških elementov Hitrost dostopa Način dostopa Navadni pomnilniki dostop z naslovom Asociativni pomnilnik dostop z vsebino 8.2 Pomnilniške tehnologije SRAM - Statični RAM DRAM - Dinamični RAM SDRAM Sinhronski dinamični RAM Flash (bliskovni) pomnilnik SSD polprevodniški disk HDD magnetni disk 8.3 Primerjava lastnosti SSD in HDD RA , Škraba, Rozman, FRI
4 Pomnilnik Vrsti pomnilnikov: Glavni pomnilnik Pomožni pomnilnik (tudi sekundarni pomnilnik, masovni ali počasni pomnilnik) štejemo jih tudi med V/I naprave. Razlika med glavnim pomnilnikom in pomožnimi pomnilniki: Do glavnega pomnilnika ima CPE neposreden dostop s strojnimi ukazi (npr. LOAD, STORE). Do pomožnega pomnilnika (SSD, HDD, trakovi, CD in DVD) je posreden dostop preko V/I ukazov z V/I programom. RA , Škraba, Rozman, FRI
5 Pomnilnik Razlogi za delitev: Včasih tehnološki (z obstoječo tehnologijo ni bilo mogoče izdelati glavni pomnilnik večji od nekaj tisoč besed) Danes ekonomski Vrsta pomnilnika Cena za 1 GB (dec. 2017) Glavni pomnilnik - SDRAM (DDR3, DDR4) Pomožni pomnilnik - SSD (polprevodniški disk) Pomožni pomnilnik - HDD (magnetni disk) < 10 /GB < 0,5 /GB < 0,05 /GB SDRAM Synchronous Dynamic Random Access Memory - Sinhronski Dinamični RAM SSD Solid State Disk Polprevodniški disk HDD Hard Disk Drive Trdi (magnetni) disk RA , Škraba, Rozman, FRI
6 Lastnosti pomnilniških elementov 8.1 Lastnosti pomnilniških elementov Lastnosti pomnilniških elementov ocenjujemo glede na različne kriterije: Cena [ /GB] Hitrost: čas dostopa - t a [ns] in hitrost dostopa b a [b/s; B/s, T/s] Način dostopa z naslovom / z vsebino Spremenljivost vsebine bralni (ROM) / bralno-pisalni (RAM) Obstojnost vsebine obstojna / neobstojna Zanesljivost verjetnost za pojav napake RA , Škraba, Rozman, FRI
7 Lastnosti pomnilniških elementov hitrost dostopa Čas in hitrost dostopa Zmogljivost pomnilnika je določena s hitrostjo branja in pisanja informacije v pomnilnik. Kot merilo za hitrost se običajno uporablja povprečen čas, ki je potreben za branje ene besede iz pomnilnika. Ta čas imenujemo čas dostopa (access time) in ga označujemo s t a in merimo v [ns]. RA , Škraba, Rozman, FRI
8 Lastnosti pomnilniških elementov hitrost dostopa Čas dostopa t a je običajno definiran kot čas, ki preteče od trenutka, ko pomnilnik dobi naslov, do trenutka, ko: Je pri branju zahtevana informacija prisotna na izhodu pomnilnika Pri pisanju informacija na vhodu pomnilnika ni več potrebna Čas za pisanje je pri večini današnjih pomnilnikov približno enak času za branje. RA , Škraba, Rozman, FRI
9 Lastnosti pomnilniških elementov hitrost dostopa Hitrost dostopa (access rate) b a je največje možno število prenesenih besed ali bitov ali bajtov na sekundo, ali pa kar prenosov na sekundo. Pri DRAM pomnilnikih mora po vsakem dostopu preteči nek čas (mrtvi čas t m ), preden se lahko prične naslednji dostop. Pri DRAM pomnilnikih je hitrost dostopa b a zato: b a t a 1 t m 1 t c Enote: b/s biti/sekundo ali B/s bajti/sekundo ali T/s prenosi/sekundo Čas t c je čas cikla, to je čas med dvema zaporednima dostopoma. RA , Škraba, Rozman, FRI
10 Lastnosti pomnilniških elementov način dostopa Način dostopa Glede na način izbire pomnilniške besede, do katere se želi dostop, se današnji pomnilniki delijo v dve skupini: Navadni pomnilniki vsaka pomnilniška beseda ima svoj fiksen naslov, dostop do želene besede je z naslovom Asociativni pomnilniki pomnilniške besede nimajo naslova, dostop do želene besede je preko vsebine ali dela vsebine te besede Asociativni pomnilniki se zato imenujejo tudi vsebinsko naslovljivi. RA , Škraba, Rozman, FRI
11 Lastnosti pomnilniških elementov način dostopa Navadni pomnilniki dostop z naslovom pomn. lokacije Pri navadnih z naslovom naslovljivih pomnilnikih imamo pri različnih vrstah pomnilnikov štiri različne načine dostopa: Naključni dostop (polprevodniški solid state pomnilniki) Zaporedni dostop (magnetni trakovi) pomnilniške lokacije Krožni dostop (magnetni bobni) smer vrtenja bralno-pisalna glava Direktni dostop (magnetni diski, optični diski) RA , Škraba, Rozman, FRI
12 Lastnosti pomnilniških elementov način dostopa Naključni dostop (random access) Čas dostopa do poljubne pomnilniške besede je neodvisen od naslova in od vrstnega reda naslovov pred tem naslovljenih besed. Vsaka pomnilniška lokacija je dostopna preko logičnega vezja za naslavljanje v enakem času t a, ne glede na pred tem naslovljene lokacije. Vsi polprevodniški pomnilniki (solid-state memory) so pomnilniki z naključnim dostopom. RA , Škraba, Rozman, FRI
13 Lastnosti pomnilniških elementov način dostopa Zaporedni dostop (serial access) Čas dostopa do določene besede je odvisen od naslova besede, do katere je bil narejen dostop pred tem To pomeni, da je čas dostopa t a močno odvisen od zaporedja naslovov do katerih želimo dostopati Magnetni trak je pomožni pomnilnik z zaporednim dostopom smer pomikanja pomnilniške lokacije Photo: Victor Prado bralno-pisalna glava RA , Škraba, Rozman, FRI
14 Lastnosti pomnilniških elementov način dostopa Krožni dostop (rotational access) Posebna vrsta zaporednega dostopa, kjer so pomnilniške lokacije razporejene po krožnici. Povprečni čas dostopa t a je enak polovici časa enega obrata. Pomnilnika s krožnim dostopom sta bila magnetni boben in magnetni disk s fiksnimi bralno-pisalnimi glavami. pomnilniške lokacije smer vrtenja bralno-pisalna glava RA , Škraba, Rozman, FRI
15 Lastnosti pomnilniških elementov način dostopa Direktni dostop (direct access) Kombinacija zaporednega in krožnega dostopa, ki se uporablja pri magnetnih in optičnih diskih s premičnimi glavami. Zapis na magnetnem disku je v obliki koncentričnih krogov (sledi), pomnilniške lokacije (sektorji) pa so razporejene vzdolž sledi. Bralno pisalna glava se najprej premakne na ustrezno sled (zaporedni dostop) nato pa je na vrsti krožni dostop do želene lokacije na sledi. RA , Škraba, Rozman, FRI
16 Lastnosti pomnilniških elementov način dostopa Asociativni pomnilnik dostop z vsebino pomn. lokacije Asociativni pomnilnik pomnilniške lokacije nimajo naslovov. Dostop do določene pomnilniške besede je z njeno vsebino (ali delom vsebine). Iskanje vsebine je realizirano elektronsko z logičnim vezjem po vseh besedah hkrati (paralelno). Realizacija zahteva kompleksno logično vezje, zato so asociativni pomnilniki redko večji od nekaj 100 besed. RA , Škraba, Rozman, FRI
17 Lastnosti pomnilniških elementov asociativni pomnilnik Asociativni pomnilnik = vsebinsko naslovljiv = paralelno iskalen Čas dostopa t a je zaradi primerjave vsebine še nekoliko daljši kot do običajnih pomnilnikov. Iskanje določene vsebine v asociativnem pomnilniku pa je zelo hitro uporaba v predpomnilnikih Iskanje določene vsebine v navadnem pomnilniku traja bistveno več časa. RA , Škraba, Rozman, FRI
18 Pomnilniške tehnologije 8.2 Pomnilniške tehnologije Danes se za pomnilnike uporabljajo tri osnovne tehnologije: Polprevodniški (solid-state) pomnilniki: ROM Read Only Memory PROM, EPROM, EEPROM RAM (Random Access Memory) SRAM (Static RAM), DRAM (Dynamic RAM) Flash pomnilniki (vrsta EEPROM pomnilnikov) Magnetni pomnilniki (magnetni diski, magnetni trakovi) Optični pomnilniki (CD, DVD, BD Blu-ray) RA , Škraba, Rozman, FRI
19 Pomnilniške tehnologije Pomnilniške tehnologije - pregled Vrsta pomnilnika Čas dostopa Cena za 1GB (dec. 2015) SRAM (polprevodniški pomnilnik) 0,5 2,5 ns /GB Uporaba Predpomnilnik Registri SDRAM (polprevodniški pomnilnik) ns < 6 /GB Glavni pomnilnik SSD (polprevodniški pomnilnik) 5* *10 3 ns = 5 µs 200 µs < 1 /GB Navidezni pomnilnik Trajni pomnilnik HDD (magnetni pomnilnik) 3* *10 6 ns = 3 ms 15 ms < 0,1 /GB Navidezni pomnilnik Trajni pomnilnik Magnetni disk je krat počasnejši od statičnega SRAM pomnilnika SRAM Statični RAM (Static Random Access Memory) SDRAM Sinhronski Dinamični RAM SSD Polprevodniški (flash) disk (Solid State Drive) HDD Hard Disk Drive RA , Škraba, Rozman, FRI
20 Pomnilniške tehnologije Polprevodniški pomnilniki (ROM, SRAM, DRAM in delno Flash pomnilniki) so pomnilniki z naključnim dostopom (Random Access). Najmanjša pomnilniška enota je enobitna pomnilniška celica. Najmanjša naslovljiva pomnilniška lokacija je pomnilniška beseda. Vsaka pomnilniška lokacija je dostopna preko logičnega vezja za naslavljanje v enakem času, ne glede na pred tem naslovljene lokacije. Čas dostopa je vedno enak, ne glede na naslov in zaporedje naslovov do katerih dostopamo. RA , Škraba, Rozman, FRI
21 Polprevodniški pomnilniki Lastnosti polprevodniških pomnilnikov Vrsta polprevodniškega pomnilnika Način dostopa Vrsta dostopa Brisanje vsebine Način pisanja Obstojnost vsebine po izklopu napajanja RAM Naključni Bralno-pisalni pomnilnik Električno - posamezen bajt Električno Neobstojna ROM PROM EPROM EEPROM NAND Flash Naključni Naključni Naključni na nivoju strani Bralni pomnilnik Pretežno bralni pomnilnik Bralno-pisalni pomnilnik Ni možno UV svetloba - cel čip Električno - posamezen bajt Električno - posamezni bloki Maska pri izdelavi Električno v programirni napravi Električno Obstojna RAM Random Access Memory ROM Read Only Memory PROM Programmable ROM EPROM Erasable PROM EEPROM Electrically Erasable PROM RA , Škraba, Rozman, FRI
22 Pomnilniške tehnologije Enobitna pomnilniška celica je realizirana s tranzistorji (tranzistor = polprevodnik, zato polprevodniški pomnilniki) Pomnilniška celica je lahko v enem od dveh možnih stabilnih stanj, ki predstavljata vrednost 0 ali 1 Vanjo je možno pisati (vsaj enkrat) in s tem določiti stanje 0 ali 1 Stanje v katerem je celica, je možno prebrati oz. zaznati (sense) Kontrolni signal branje/pisanje Kontrolni signal branje/pisanje Izbira (naslavljanje) Pomnilniška celica Podatek Izbira (naslavljanje) Pomnilniška celica Podatek Pisanje Branje RA , Škraba, Rozman, FRI
23 Pomnilniške tehnologije SRAM Statični RAM SRAM pomnilniška celica je zgrajena kot flip-flop običajno s šestimi tranzistorji. Bit, ki se zapiše v SRAM celico, ostane nespremenjen, dokler se v celico ne vpiše nova vsebina. SRAM pomnilniška celica ohrani vsebino samo dokler je priključena na električno napajanje. Čas dostopa je kratek (0,5 2,5 ns), ker je preklop tranzistorjev iz enega stanja v drugo zelo hiter. RA , Škraba, Rozman, FRI
24 Pomnilniške tehnologije SRAM pomnilniška celica SRAM (Statični RAM) pomnilniška celica V DD T 1 T 6 tranzistorji V DD napajalna napetost T 3 T 4 T 5 T 6 T 1 T 2 GND Naslovna linija Bitna linija 0 Bitna linija 1 RA , Škraba, Rozman, FRI
25 Pomnilniške tehnologije DRAM Dinamični RAM DRAM pomnilniška celica je zgrajena z enim tranzistorjem in kondenzatorjem z zelo majhno kapacitivnostjo (C < 0,1 pf) Informacija, ki se zapiše v DRAM celico, se shrani v obliki naboja na kondenzatorju. Naboj na kondenzatorju ni obstojen (T = nekaj 10 ms), zato je potrebno vsebino DRAM pomnilniških celic periodično obnavljati (osveževanje). Pri današnji tehnologiji je potrebno osvežiti celotno vsebino pomnilniškega čipa vsakih 64 ms (DDR2). RA , Škraba, Rozman, FRI
26 Pomnilniške tehnologije DRAM pomnilniška celica DRAM (Dinamični RAM) pomnilniška celica Naslovna linija (vrstica) Tranzistor Kondenzator C Bitna linija (stolpec) GND RA , Škraba, Rozman, FRI
27 Pomnilniške tehnologije DRAM pomnilniška celica Čas dostopa do DRAM pomnilniške celice je 10 do 100-krat daljši kot pri SRAM, ker je za preklop iz enega stanja v drugo (0 1 ali 1 0) potrebno polnjenje ali praznjenje kondenzatorja. Ker je kapacitivnost kondenzatorja izredno majhna (nekaj 10 ff, femtofarad = F) se naboj na kondenzatorju hitro izgubi in je treba informacije periodično osveževati (pri današnji tehnologiji vsakih 64 ms (milisekund)) Osveževanje pri DRAM pomnilniških čipih danes predstavlja tipično 1 do 2% aktivnega časa DRAM pomnilnika. Za branje in pisanje torej ostane 98 do 99% ciklov. RA , Škraba, Rozman, FRI
28 Dekoder za naslov vrstice Besedne linije Pomnilniške tehnologije Enobitne DRAM pomnilniške celice so urejene v obliki pravokotnega polja z vrsticami in stolpci, ki ga imenujemo bitna ravnina. DRAM Naslovna linija - vrstica Polje pomnilniških celic (bitna ravnina) Bitna linija - stolpec Tranzistor Kondenzator C GND Podatkovni vmesnik Bitne linije Register vrstice Dekoder za naslov stolpca RA , Škraba, Rozman, FRI
29 Pomnilniške tehnologije SRAM DRAM primerjava lastnosti Primerjava lastnosti SRAM in DRAM pomnilniških celic: Vsebina v obeh, SRAM in DRAM celicah, je ob prekinitvi električnega napajanja neobstojna DRAM celica je enostavnejša (en tranzistor) in zato manjša Gostota celic na enoto površine čipa je zato pri DRAM bistveno večja kot pri SRAM Cena je nižja kot pri SRAM pomnilnikih DRAM celice potrebujejo periodično osveževanje vsebine (refresh), za kar je potrebno posebno osveževalno vezje, SRAM celice pa ne. RA , Škraba, Rozman, FRI
30 Pomnilniške tehnologije SRAM DRAM primerjava lastnosti SRAM pomnilniške celice so hitrejše (preklop tranzistorja) kot DRAM (polnjenje kondenzatorja) DRAM pomnilniki se zaradi nižje cene in večje gostote (več bitov na čip) uporabljajo za velike pomnilnike kot je glavni pomnilnik. SRAM pomnilniki pa se zaradi večje hitrosti in višje cene uporabljajo za manjše pomnilnike, to so predvsem predpomnilniki. RA , Škraba, Rozman, FRI
31 Pomnilniške tehnologije SDRAM Sinhronski dinamični RAM Običajne DRAMe danes imenujemo asinhronski. Sinhronski DRAMi so narejeni v obliki enostavnega cevovoda, zato je za delovanje potreben urin signal. Osnova SDRAMa je asinhronski DRAM, ki so mu dodani registri, v katere se ob aktivni fronti urinega signala shranijo naslovni, kontrolni in podatkovni signali. Zahteva za naslednji dostop se lahko v SDRAM pošlje že, ko je DRAM še zaseden z izvajanjem predhodnega dostopa. RA , Škraba, Rozman, FRI
32 Pomnilniške tehnologije SDRAM Čas prvega dostopa je enak kot pri asinhronskih DRAMih, naslednji dostopi pa so hitrejši. SDRAM naslovni in kontrolni signali register način Asinhronski DRAM register podatkovni signali ura CK, CK RA , Škraba, Rozman, FRI
33 Pomnilniške tehnologije SDRAM Pri page mode dostopu do bitov v isti vrstici so SDRAMi hitrejši od asinhronskih, ker se zahteva za dostop zapiše v registre že med izvrševanjem predhodnega dostopa. SDRAMi so v proizvodnji od leta 1993, razvojne stopnje imajo oznake DDR, DDR2, DDR3 in DDR4. Lastnosti SDRAMov so standardizirane, standarde izdaja organizacija JEDEC (Joint Electron Devices Engineering Council). Po letu 2000 se v računalnikih uporabljajo samo sinhronski DRAMi (SDRAM). RA , Škraba, Rozman, FRI
34 Pomnilniške tehnologije SDRAM Pregled DDRx pomnilnikov Vir: RA , Škraba, Rozman, FRI
35 Pomnilniške tehnologije SDRAM Pregled DDRx pomnilnikov Vir: Henn.-Patt: Computer Architecture: A Quantitative Approach RA , Škraba, Rozman, FRI
36 Pomnilniške tehnologije SDRAM Pregled DDRx pomnilnikov Vir: Henn.-Patt: Computer Architecture: A Quantitative Approach RA , Škraba, Rozman, FRI
37 Pomnilniške tehnologije Flash (bliskovni) pomnilnik Flash pomnilnik je vrsta električno brisljivega polprevodniškega bralnega pomnilnika (EEPROM Electrically Erasable Programmable Read Only Memory), ki ohrani vsebino tudi po izklopu električnega napajanja. Preden lahko pišemo v flash pomnilniške celice, mora biti njihova vsebina izbrisana. Z eno hitro operacijo se briše veliko področje podatkov (blok), zato ime flash (bliskovni) pomnilnik. Število brisanj je omejeno na do , odvisno od vrste pomnilniških celic. Izbrisane pomnilniške celice imajo vsebino 1 (stanje 1) Pisanje podobno kot pri EEPROMu spreminja 1 v 0 RA , Škraba, Rozman, FRI
38 Zgradba in delovanje flash pomnilniške celice Flash pomnilniška celica je podobna MOS FET tranzistorju, le da ima dodatna plavajoča vrata, ki lahko shranjujejo električni naboj (elektrone). Flash pomnilniška celica = FGMOS (Floating Gate MOS) tranzistor Plavajoča vrata (Floating Gate) Izvor (Source) Kontrolna vrata (Control Gate) Ponor (Drain) Osnova (Substrat) Flash pomnilniška celica FGMOS tranzistor MOSFET tranzistor RA , Škraba, Rozman, FRI
39 Flash pomnilnikška celica zgradba in delovanje Pisanje in brisanje 0 1 Pisanje Stanje 0 Pozitivna napetost na kontrolnih vratih povzroči prehod elektronov v plavajoča vrata (tunelski tok preko oksidne izolacijske plasti) Brisanje Stanje 1 Pozitivna napetost na substratu sprosti elektrone iz plavajočih vrat. VIN Igor Škraba, FRI
40 Pomnilniške tehnologije flash pomnilniki Glede na število bitov, ki jih lahko hrani ena flash pomnilniška celica (en tranzistor) imamo trenutno tri vrste celic: SLC (Single-Level Cell) 1 bit na celico 2 stanji naboja v plavajočih vratih MLC (Multi-Level Cell) 2 bita na celico 4 stanja naboja TLC (Triple-Level Cell) 3 biti na celico 8 stanj naboja SLC (Single-Level Cell) Ena SLC celica lahko shrani 1 bit informacije (dve stanji, oziroma dve vrednosti naboja v plavajočih vratih) Nizka gostota (1 bit na celico) Do brisalno/pisalnih ciklov na celico Nižja poraba, hitrejše pisanje Višja cena VIN Igor Škraba, FRI
41 Pomnilniške tehnologije flash pomnilniki MLC (Multi-Level Cell) Ena MLC celica lahko shrani dva bita informacije, kar pomeni 4 stanja, oziroma 4 vrednosti naboja v plavajočih vratih. Večja gostota (2 bita na celico) Do brisalno/pisalnih ciklov na celico Krajša življenjska doba kot SLC Nizka cena (3-krat nižja kot SLC) RA , Škraba, Rozman, FRI
42 Pomnilniške tehnologije flash pomnilniki TLC (Triple-Level Cell) Ena TLC celica lahko shrani tri bite informacije, kar pomeni 8 stanj, oziroma 8 vrednosti naboja v plavajočih vratih. Velika gostota (3 biti na celico) Do brisalno/pisalnih ciklov na celico Krajša življenjska doba kot MLC in SLC Nizka cena (30% nižja kot MLC) RA , Škraba, Rozman, FRI
43 Pomnilniške tehnologije flash pomnilniki Pri prehajanju elektronov iz plavajočih vrat v substrat in obratno vmesna izolacijska oksidna plast propada. Število brisanj (oziroma brisalno-pisalnih ciklov) je zato omejeno. Vsaka vrsta flash pomnilniških celic ima določeno največje število brisalnih ciklov. SLC pomnilniška celica do MLC pmnilniška celica do TLC pomnilniška celica do RA , Škraba, Rozman, FRI
44 Pomnilniške tehnologije flash pomnilniki Primerjava treh vrst osnovnih celic: Lastnosti SLC (Single-Level Cell) MLC (Multi-Level Cell) TLC (Triple-Level Cell) bitov/celico cena višja 3xnižja od SLC 1/3 nižja od MLC št. E/W ciklov življ.doba krajša od SLC najkrajša ostalo nižja poraba, hitro pisanje RA , Škraba, Rozman, FRI
45 Pomnilniške tehnologije flash pomnilniki Povezava pomnilniških celic v flash pomnilniku Pri flash pomnilniku je povezava pomnilniških celic precej drugačna kot npr. pri RAM pomnilnikih. Besedna linija (Word line) Bitna linija (Bit line) CG GND S CG D Simbol za flash pomnilniško celico RA , Škraba, Rozman, FRI
46 Flash pomnilniki NAND-NOR Glede na povezavo pomnilniških celic obstajata dve vrsti flash pomnilnikov: NOR flash pomnilnik NAND flash pomnilnik Imeni izhajata iz podobnosti povezave pomnilniških celic s povezavo tranzistorjev pri NOR ali NAND vratih. RA , Škraba, Rozman, FRI
47 Pomnilniške tehnologije flash pomnilniki NOR flash pomnilnik NOR flash pomnilnik: vsaka pomnilniška celica je povezana na bitno linijo in source linijo. naključni dostop do bajta (programski pomnilnik) + vsaka celica naslovljiva, hitro branje - kompleksnejša zgradba, počasno pisanje NAND flash pomnilnik NAND flash pomnilnik: več pomnilniških celic je vezanih zaporedno in si delijo bitno linijo - manjše število linij na čipu naključni dostop do strani (pomožni pomn. - disk) + večja gostota, nižja cena, hitro pisanje - počasno branje RA , Škraba, Rozman, FRI
48 Pomnilniške tehnologije flash pomnilniki NAND flash pomnilniki so razdeljeni na strani, ki so tipično velike 4 ali 8 KB. Več strani (tipično 64 ali 128 strani) tvori blok. Najmanjša zapisljiva enota je stran, najmanjša enota brisanja pa blok. Pred pisanjem v stran mora biti stran brisana. Stran najmanjša enota pisanja npr. 4KB Stran 0 Stran 1 Blok- najmanjša enota brisanja 512KB Stran 127 RA , Škraba, Rozman, FRI
49 Flash pomnilniki - SSD Polprevodniški diski - SSD Diski na osnovi flash pomnilnikov so prvi resni tekmec magnetnim diskom. SSD (Solid State Drive) enote so pomožni (sekundarni) pomnilniki, ki predstavljajo zamenjavo za HDD (magnetne diske). V SSD se uporabljajo NAND flash MLC ali TLC pomnilniške celice. Zunanji vmesnik je običajno SATA 3.0, SATAe ali PCIe. RA , Škraba, Rozman, FRI
50 Pomnilniške tehnologije SSD Seagate 1200 SSD 400GB NAND pomnilniški čipi 21 nm Zgornja stran Spodnja stran tiskanega vezja RA , Škraba, Rozman, FRI
51 Pomnilniške tehnologije magnetni disk HDD - magnetni disk Magnetni disk je od leta 1956 naprej najpomembnejša vrsta pomožnega pomnilnika. Direktni dostop - kombinacija zaporednega in krožnega dostopa. Sestavni deli: Plošče z magnetnim medijem in motor za pogon plošč. Plošče se vrtijo s konstantnim številom obratov. Ročice z bralno-pisalnimi glavami Elektronika za branje in pisanje Elektromehanski servo in krmilni sistem za pozicioniranje bralno-pisalnih glav na sled Krmilnik in vmesnik do vodila RA , Škraba, Rozman, FRI
52 Steklena plošča z nanosom magnetnega medija RA , Škraba, Rozman, FRI
53 Steklena plošča z nanosom magnetnega medija Ročica z bralno pisalno glavo in tuljavo za krmiljenje ročice Motor za pogon plošče Tiskano vezje s krmilnikom diska RA , Škraba, Rozman, FRI
54 Pomnilniške tehnologije magnetni disk Magnetni disk s štirimi ploščami in osmimi površinami - shema Površina 7 Bralno-pisalne glave - ena na vsako površino Površina 6 Površina 5 Površina 4 Površina 3 Površina 2 Površina 1 Ročica Smer gibanja ročice Površina 0 Smer vrtenja RA , Škraba, Rozman, FRI
55 Pomnilniške tehnologije magnetni disk pomnilniške lokacije (sektorji) sledi smer vrtenja ročica z bralno-pisalno glavo mmi RA , Škraba, Rozman, FRI
56 Pomnilniške tehnologije magnetni disk Bralno-pisalna glava RA , Škraba, Rozman, FRI
57 Pomnilniške tehnologije magnetni disk RA , Škraba, Rozman, FRI
58 Pomnilniške tehnologije magnetni disk Organizacija podatkov na disku Sledi koncentrični krogi na vsaki površini Sled Sektorji (najmanjša naslovljiva enota na disku) Vrzeli Površina Plošča Plošča Servo zapis Sektor ~ 600B Servo zapis Cilinder - istoležne sledi na vseh površinah Vrzel s Naslov Podatki 512 B Vrzel s servo servo zapisom Uvod Biti za detekcijo zapisom in korekcijo napak RA , Škraba, Rozman, FRI
59 mmi Pomnilniške tehnologije magnetni disk Zaporedni dostop Bralno-pisalna glava Krožni dostop Sled (track) RA , Škraba, Rozman, FRI
60 Pomnilniške tehnologije magnetni disk Dostop do sektorja na disku sestavljajo trije koraki: t ISK t LAT t SEKT Iskanje sledi zaporedni dostop - pomik glave na želeno sled (cilinder) Povprečni iskalni čas 2-10 ms Vrtilna zakasnitev (latenca) - povprečna vrtilna zakasnitev je ½ časa enega obrata Pri 5400 obr/min je latenca 5,56 ms Pri 7200 obr/min 4,167 ms Pri obr/min 2 ms Prenos podatkov Čas prenosa je odvisen od notranje prenosne hitrosti in števila prenesenih sektorjev Čas za dostop do sektorja je vsota vseh treh časov in je od 3 do 15 ms RA , Škraba, Rozman, FRI
61 Primerjava lastnosti SSD in HDD 8.3 Primerjava lastnosti SSD in HDD Krmilnik NAND flash pomnilnik Magnetna plošča disk Ročica z bralno - pisalno glavo SSD brez gibljivih delov HDD elektromehanska naprava RA , Igor Škraba, FRI
62 Primerjava lastnosti SSD in HDD Seagate 1200 SSD 400 GB Seagate Savvio 15K GB RA , Škraba, Rozman, FRI
63 Primerjava lastnosti SSD in HDD Leto 2013 SSD Seagate 1200 SSD HDD Seagate Savvio 15K.3 Zaporedno branje 750 MB/s (128 KB) 176,5 MB/s Zaporedno pisanje 95 MB/s (128 KB) 176,5 MB/s Naključno branje IOPS (stran 4 KB) 543 IOPS (sektor 4KB) Naključno pisanje IOPS (stran 4 KB) 428 IOPS (sektor 4KB) Povprečni dostopni čas branje/pisanje 192 μs / 45 μs 4,9 ms / 5,3 ms MTBF (Mean Time Beetwen Failure) ur (0,44%) ur (0,44%) BER (Bit Error Ratio) Poraba R/W / Idle 3,71 W/ 2,72 W 7,92 W / 4,23 W Cena za GB 3,65 $ 0,75 $ IOPS Input/Output Operations Per Second RA , Škraba, Rozman, FRI
64 Primerjava lastnosti SSD in HDD Primerjava (izbira) HDD, SSHD, SSD diskov za prenosnik Vir: RA , Škraba, Rozman, FRI
65 Pomnilniške tehnologije Pomnilniške tehnologije Vrsta pomnilnika Čas dostopa Cena za 1GB (dec. 2015) Uporaba SRAM (polprevodniški pomnilnik) 0,5 2,5 ns /GB Predpomnilnik SDRAM (polprevodniški pomnilnik) ns < 6 /GB Glavni pomnilnik SSD (polprevodniški pomnilnik) 5* *10 3 ns = 5 µs 200 µs < 1 /GB Navidezni pomnilnik Trajni pomnilnik HDD (magnetni pomnilnik) 3* *10 6 ns = 3 ms 15 ms < 0,1 /GB Navidezni pomnilnik Trajni pomnilnik Magnetni disk je krat počasnejši od statičnega SRAM pomnilnika SRAM Statični RAM (Static Random Access Memory) SDRAM Sinhronski Dinamični RAM SSD Polprevodniški (flash) disk (Solid State Drive) HDD Hard Disk Drive RA , Škraba, Rozman, FRI
ORA 1-3
OSNOVE RAČUNALNIŠKE ARHITEKTURE II 9 Glavni pomnilnik ORA 2-9 Igor Škraba, FRI Glavni pomnilnik in predpomnilnik Glavni pomnilnik je prostor iz katerega CPE bere ukaze in operande in vanj shranjuje rezultate.
Diapozitiv 1
RAČUNALNIŠKA ARHITEKTURA 9 Pomnilniška hierarhija RA - 9 2018, Škraba, Rozman, FRI Pomnilniška hierarhija - vsebina 9 Pomnilniška hierarhija - cilji: Osnovno razumevanje : Lokalnosti pomnilniških dostopov
Slide 1
Tehnike programiranja PREDAVANJE 10 Uvod v binarni svet in računalništvo (nadaljevanje) Logične operacije Ponovitev in ilustracija Logične operacije Negacija (eniški komplement) Negiramo vse bite v besedi
RAM stroj Nataša Naglič 4. junij RAM RAM - random access machine Bralno pisalni, eno akumulatorski računalnik. Sestavljajo ga bralni in pisalni
RAM stroj Nataša Naglič 4. junij 2009 1 RAM RAM - random access machine Bralno pisalni, eno akumulatorski računalnik. Sestavljajo ga bralni in pisalni trak, pomnilnik ter program. Bralni trak- zaporedje
DES
Laboratorij za načrtovanje integriranih vezij Univerza v Ljubljani Fakulteta za elektrotehniko Digitalni Elektronski Sistemi Digitalni sistemi Vgrajeni digitalni sistemi Digitalni sistem: osebni računalnik
DES11_realno
Laboratorij za načrtovanje integriranih vezij Univerza v Ljubljani Fakulteta za elektrotehniko Digitalni Elektronski Sistemi Delovanje realnega vezja Omejitve modela vezja 1 Model v VHDLu je poenostavljeno
Diapozitiv 1
Vhodno-izhodne naprave naprave 1 Uvod VIN - 1 2018, Igor Škraba, FRI Vsebina 1 Uvod Signal električni signal Zvezni signal Diskretni signal Digitalni signal Lastnosti prenosnih medijev Slabljenje Pasovna
Delavnica Načrtovanje digitalnih vezij
Laboratorij za načrtovanje integriranih vezij Univerza v Ljubljani Fakulteta za elektrotehniko Digitalni Elektronski Sistemi Vmesniki Vodila, vzporedni (paralelni) vmesniki Vmesniki in vodila naprava 1
Diapozitiv 1
Vhodno izhodne naprave Laboratorijska vaja 4 - AV 4 Linije LTSpice, simulacija elektronskih vezij VIN - LV 1 Rozman,Škraba, FRI LTSpice LTSpice: http://www.linear.com/designtools/software/ https://www.analog.com/en/design-center/design-tools-andcalculators/ltspice-simulator.html
VIN Lab 1
Vhodno izhodne naprave Laboratorijska vaja 1 - AV 1 Signali, OE, Linije VIN - LV 1 Rozman,Škraba, FRI Laboratorijske vaje VIN Ocena iz vaj je sestavljena iz ocene dveh kolokvijev (50% ocene) in iz poročil
Microsoft Word - CNC obdelava kazalo vsebine.doc
ŠOLSKI CENTER NOVO MESTO VIŠJA STROKOVNA ŠOLA STROJNIŠTVO DIPLOMSKA NALOGA Novo mesto, april 2008 Ime in priimek študenta ŠOLSKI CENTER NOVO MESTO VIŠJA STROKOVNA ŠOLA STROJNIŠTVO DIPLOMSKA NALOGA Novo
Univerza v Ljubljani FAKULTETA ZA RAČUNALNIŠTVO IN INFORMATIKO Tržaška c. 25, 1000 Ljubljana Realizacija n-bitnega polnega seštevalnika z uporabo kvan
Univerza v Ljubljani FAKULTETA ZA RAČUNALNIŠTVO IN INFORMATIKO Tržaška c. 25, 1000 Ljubljana Realizacija n-bitnega polnega seštevalnika z uporabo kvantnih celičnih avtomatov SEMINARSKA NALOGA Univerzitetna
5 Programirljiva vezja 5.1 Kompleksna programirljiva vezja - CPLD Sodobna programirljiva vezja delimo v dve veliki skupini: CPLD in FPGA. Vezja CPLD (
5 Programirljiva vezja 5.1 Kompleksna programirljiva vezja - CPLD Sodobna programirljiva vezja delimo v dve veliki skupini: CPLD in FPGA. Vezja CPLD (angl. Complex Programmable Logic Device) so manjša
DES11_vmesniki
Laboratorij za načrtovanje integriranih vezij Univerza v Ljubljani Fakulteta za elektrotehniko Digitalni Elektronski Sistemi Vmesniki in sekvenčna vezja Zaporedna in vzporedna vodila 1 Vmesniki in vodila
Microsoft Word - ELEKTROTEHNIKA2_ junij 2013_pola1 in 2
Šifra kandidata: Srednja elektro šola in tehniška gimnazija ELEKTROTEHNIKA PISNA IZPITNA POLA 1 12. junij 2013 Čas pisanja 40 minut Dovoljeno dodatno gradivo in pripomočki: Kandidat prinese nalivno pero
Vostro 430 Informacijski tehnični list o namestitvi in funkcijah
O opozorilih OPOZORILO: OPOZORILO označuje možnost poškodb lastnine, telesnih poškodb ali smrti. Dell Vostro 430 List s tehničnimi informacijami o nastavitvi in funkcijah Pogled s sprednje in zadnje strani
Microsoft Word - avd_vaje_ars1_1.doc
ARS I Avditorne vaje Pri nekem programu je potrebno izvršiti N=1620 ukazov. Pogostost in trajanje posameznih vrst ukazov računalnika sta naslednja: Vrsta ukaza Štev. urinih period Pogostost Prenosi podatkov
Delavnica Načrtovanje digitalnih vezij
Laboratorij za načrtovanje integriranih vezij Univerza v Ljubljani Fakulteta za elektrotehniko Programirljivi Digitalni Sistemi Digitalni sistem Digitalni sistemi na integriranem vezju Digitalni sistem
Microsoft PowerPoint - ORS-1.ppt
ORGANIZACIJA RAČUNALNIŠKIH SISTEMOV Lastnosti integriranih digitalnih vezij ORS 2013, Igor Škraba, FRI Von Neumannov model računalnika (= matematični model in dejanski računalnik) ne določa tehnologije,
CelotniPraktikum_2011_verZaTisk.pdf
Elektrotehniški praktikum Osnove digitalnih vezij Namen vaje Videti, kako delujejo osnovna dvovhodna logi na vezja v obliki integriranih vezij oziroma, kako opravljajo logi ne funkcije Boolove algebre.
Microsoft Word - vaje2_ora.doc
II UKAZI 1. Napišite zaporedje ukazov, ki vrednost enobajtne spremenljivke STEV1 prepiše v enobajtno spremenljivko STEV2. Nalogo rešite z neposrednim naslavljanjem (zaporedje lahko vsebuje le 2 ukaza v
Microsoft Word - Avditorne.docx
1. Naloga Delovanje oscilatorja je odvisno od kapacitivnosti kondenzatorja C. Dopustno območje izhodnih frekvenc je podano z dopustnim območjem kapacitivnosti C od 1,35 do 1,61 nf. Uporabljen je kondenzator
Delavnica Načrtovanje digitalnih vezij
Laboratorij za načrtovanje integriranih vezij Univerza v Ljubljani Fakulteta za elektrotehniko Digitalni Elektronski Sistemi Zaporedni vmesniki Zaporedni (serijski) vmesniki Zaporedni (serijski) vmesniki
Delavnica Načrtovanje digitalnih vezij
Laboratorij za načrtovanje integriranih vezij Univerza v Ljubljani Fakulteta za elektrotehniko Digitalni Elektronski Sistemi Osnove jezika VHDL Strukturno načrtovanje in testiranje Struktura vezja s komponentami
DIGITALNE STRUKTURE Zapiski predavanj Branko Šter, Ljubo Pipan 2 Razdeljevalniki Razdeljevalnik (demultipleksor) opravlja funkcijo, ki je obratna funk
DIGITALNE STRUKTURE Zapiski predavanj Branko Šter, Ljubo Pipan 2 Razdeljevalniki Razdeljevalnik (demultipleksor) opravlja funkcijo, ki je obratna funkciji izbiralnika. Tisti od 2 n izhodov y 0,.., y 2
DES
Laboratorij za načrtovanje integriranih vezij Univerza v Ljubljani Fakulteta za elektrotehniko Digitalni Elektronski Sistemi Model vezja Računalniški model in realno vezje Model logičnega negatorja Načini
Microsoft Word - ELEKTROTEHNIKA2_11. junij 2104
Šifra kandidata: Srednja elektro šola in tehniška gimnazija ELEKTROTEHNIKA PISNA IZPITNA POLA 1 11. junij 2014 Čas pisanja 40 minut Dovoljeno dodatno gradivo in pripomočki: Kandidat prinese nalivno pero
Logični modul LOGO!
Logični modul LOGO! LOGO! Siemensov univerzalni logični modul LOGO! vsebuje: Krmilno enoto Enoto za prikaz in tipkovnico Napajalno vezje Vmesnik za spominski modul in PC kabel Funkcije, pripravljene za
Microsoft Word - NAVODILA ZA UPORABO.docx
NAVODILA ZA UPORABO VODILO CCM-18A/N-E (K02-MODBUS) Hvala ker ste se odločili za nakup našega izdelka. Pred uporabo enote skrbno preberite ta Navodila za uporabo in jih shranite za prihodnjo rabo. Vsebina
Univerza v Ljubljani
Univerza v Ljubljani Fakulteta za elektrotehniko Mario Trifković Programljivi 6 Timer Seminarska naloga pri predmetu Elektronska vezja V Ljubljani, junij 2009 Mario Trifković Programljivi 6 Timer 2 1.
Procesorski sistemi v telekomunikacijah
Procesorski sistemi v telekomunikacijah Komunikacija v procesorskih sistemih (c) Arpad Bűrmen, 2010-2012 Sinhrona komunikacija Podatkovne linije + sinhronizacijski signal Sihnronizacijski signal določa
Naloge 1. Dva električna grelnika z ohmskima upornostma 60 Ω in 30 Ω vežemo vzporedno in priključimo na idealni enosmerni tokovni vir s tokom 10 A. Tr
Naloge 1. Dva električna grelnika z ohmskima upornostma 60 Ω in 30 Ω vežemo vzporedno in priključimo na idealni enosmerni tokovni vir s tokom 10 A. Trditev: idealni enosmerni tokovni vir obratuje z močjo
Navodila za uporabo Mini prenosna HD kamera s snemalnikom
Navodila za uporabo Mini prenosna HD kamera s snemalnikom www.spyshop.eu Izdelku so priložena navodila v angleščini, ki poleg teksta prikazujejo tudi slikovni prikaz sestave in delovanja izdelka. Lastnosti
Diapozitiv 1
Vhodno izhodne naprave Laboratorijska vaja 5 - LV 1 Meritve dolžine in karakteristične impedance linije VIN - LV 1 Rozman,Škraba, FRI Model linije Rs Z 0, Vs u i u l R L V S - Napetost izvora [V] R S -
Organizacija računalnikov
ORGANIZACIJA RAČUNALNIKOV 6 Prenosne poti in vrste prenosov OR 6 Povzetki predavanj 1 2018, Rozman, FRI 6. Prenosne poti in vrste prenosov Namen in cilji 6. poglavja: Večno vprašanje: kako prenesti več
Delavnica Načrtovanje digitalnih vezij
Laboratorij za načrtovanje integriranih vezij Univerza v Ljubljani Fakulteta za elektrotehniko Digitalni Elektronski Sistemi Procesorji Model računalnika, mikrokrmilnik CPE = mikrosekvenčnik + podatkovna
Microsoft Word - M
Državni izpitni center *M773* SPOMLADANSKI IZPITNI ROK NAVODILA ZA OCENJEVANJE Četrtek, 4. junij SPLOŠNA MATRA RIC M-77--3 IZPITNA POLA ' ' Q Q ( Q Q)/ Zapisan izraz za naboja ' ' 6 6 6 Q Q (6 4 ) / C
Analiza vpliva materiala, maziva in aktuatorja na dinamiko pnevmatičnega ventila
Programsko orodje LabVIEW za kreiranje, zajem in obdelavo signalov (statične in dinamične karakteristike hidravličnih proporcionalnih ventilov) Marko Šimic Telefon: +386 1 4771 727 e-mail: marko.simic@fs.uni-lj.si
Microsoft Word - M docx
Državni izpitni center *M77* SPOMLADANSK ZPTN OK NAVODLA ZA OCENJEVANJE Petek, 7. junij 0 SPLOŠNA MATA C 0 M-77-- ZPTNA POLA ' ' QQ QQ ' ' Q QQ Q 0 5 0 5 C Zapisan izraz za naboj... točka zračunan naboj...
Navodila za uporabo Mini snemalnik
Navodila za uporabo Mini snemalnik www.spyshop.eu Pred vami so navodila za pravilno uporabo mini snemalnika in opis funkcionalnosti. Lastnosti snemalnika: Naziv Mere Teža Kapaciteta spomina Snemanje Format
EVROPSKA KOMISIJA Bruselj, C(2019) 1955 final ANNEXES 1 to 5 PRILOGE k UREDBI KOMISIJE (EU) št. /.. z dne XXX o določitvi zahtev za okoljsko
EVROPSKA KOMISIJA Bruselj, 15.3.2019 C(2019) 1955 final ANNEXES 1 to 5 PRILOGE k UREDBI KOMISIJE (EU) št. /.. z dne XXX o določitvi zahtev za okoljsko primerno zasnovo strežnikov in izdelkov za shranjevanje
ELEKTRIČNI NIHAJNI KROG TEORIJA Električni nihajni krog je električno vezje, ki služi za generacijo visokofrekvenče izmenične napetosti. V osnovi je "
ELEKTRIČNI NIHAJNI KROG TEORIJA Električni nihajni krog je električno vezje, ki služi za generacijo visokofrekvenče izmenične napetosti. V osnovi je "električno" nihalo, sestavljeno iz vzporedne vezave
PowerPoint Presentation
Uporaba storitve Office 365 v napravi iphone ali ipad Priročnik za hiter začetek dela Ogled e-pošte Nastavite napravo iphone ali ipad tako, da boste lahko pošiljali in prejemali e-pošto iz računa v storitvi
Slide 1
Projektno vodenje PREDAVANJE 7 doc. dr. M. Zajc matej.zajc@fe.uni-lj.si Projektno vodenje z orodjem Excel Predstavitev Najbolj razširjeno orodje za delo s preglednicami Dva sklopa funkcij: Obdelava številk
OSNOVE RAČUNALNIŠKE ARHITEKTURE II
VHODNO-IZHODNE NAPRAVE 4 Povezovalni standardi VIN - 4 2018, Igor Škraba, FRI 4 Povezovalni standardi 4.1 EIA/TIA-232 (RS-232) 4.2 EIA/TIA-485 (RS-485) 4.3 USB - Universal serial bus 4.4 PCI Express -
Diapozitiv 1
RAČUNALNIŠKA ARHITEKTURA 5 Operandi RA - 5 2018, Škraba, Rozman, FRI Predstavitev informacije - vsebina 5 Operandi - cilji: Razumevanje različnih formatov zapisovanja operandov Abecede (znaki) Števila
No Slide Title
Glavne napake-pomoč KRONOS 1 Diagnostika in dostop do sistema PEČICA NAPAKA NAPAKA PRIKAZANA Z KODO NAPAKE NAPAKA BREZ INDIKACIJE KODE NAPAKE 2 Diagnostika in dostop do sistema Prikaz kode napake Informacije
Microsoft PowerPoint - NDES_8_USB_LIN.ppt
Laboratorij za na rtovanje integriranih vezij Fakulteta za elektrotehniko Univerza v Ljubljani ndrej Trost artovanje digitalnih el. sistemov Komunikacijski vmesniki UB in LI http://lniv.fe.uni-lj.si/ndes.html
Zbornica zdravstvene in babiške nege Slovenije Zveza strokovnih društev medicinskih sester, babic in zdravstvenih tehnikov Slovenije Stanje:
Zbornica zdravstvene in babiške nege Slovenije Zveza strokovnih društev medicinskih sester, babic in zdravstvenih tehnikov Slovenije Stanje: 17.07.2013 Ver. 2.9.1.2 Spletni portal članov uporabniška navodila
BDV-N890W/BDV-N790W
Sistem za domači kino s predvajalnikom Blu-ray Disc /DVD BDV-N890W BDV-N790W SI Začnite tukaj Kratka navodila za postavitev in uporabo BDV-N790W BDV-N890W 1 Vsebina embalaže/nastavitev zvočnikov BDV-N890W
DVD
DVD DVD - uvod Kratica je v začetku pomenila Digital Video Disc, kasneje pa se je njen pomen spremenil in nastal je Digital Versatille Disc Sprememb praktično ni bilo, saj je plošček ostal isti, do zamenjave
SLO - NAVODILO ZA UPORABO IN MONTAŽO Št
SLO - NAVODILA ZA UPORABO IN MONTAŽO Kat. št.: 97 37 62 www.conrad.si NAVODILA ZA UPORABO Kartica ExpressCard z 2 vrati USB 3.0 Kataloška št.: 97 37 62 Kazalo Predvidena uporaba... 2 Vsebina paketa...
Navodila za programsko opremo FeriX Namestitev na trdi disk Avtor navodil: Martin Terbuc Datum: December 2007 Center odprte kode Slovenije Spletna str
Navodila za programsko opremo FeriX Namestitev na trdi disk Avtor navodil: Martin Terbuc Datum: December 2007 Center odprte kode Slovenije Spletna stran: http://www.coks.si/ Elektronski naslov: podpora@coks.si
Microsoft Word - M docx
Š i f r a k a n d i d a t a : ržavni izpitni center *M15178112* SPOMLNSKI IZPITNI ROK Izpitna pola 2 Četrtek, 4. junij 2015 / 90 minut ovoljeno gradivo in pripomočki: Kandidat prinese nalivno pero ali
1. Električne lastnosti varikap diode Vsaka polprevodniška dioda ima zaporno plast, debelina katere narašča z zaporno napetostjo. Dioda se v zaporni s
1. Električne lastnosti varikap diode Vsaka polprevodniška dioda ima zaporno plast, debelina katere narašča z zaporno napetostjo. Dioda se v zaporni smeri obnaša kot nelinearen kondenzator, ki mu z višanjem
Microsoft Word doc
SLO - NAVODILO ZA NAMESTITEV IN UPORABO Št. izd. : 122383 www.conrad.si ROČNI OSCILOSKOP VELLEMAN HPS140 Št. izdelka: 122383 1 KAZALO 1 MED UPORABO... 3 2 LASTNOSTI IN TEHNIČNI PODATKI... 3 3 OPIS SPREDNJE
Področje uporabe
Regulator Področja uporabe Regulator DIALOG EQ je namenjen predvsem vodenju in nadziranju sistemov ogrevanja in hlajenja, lahko pa se uporabi tudi na različnih področjih avtomatizacije in inteligentnih
VAU 7.5-3_Kurz_SL_ indd
Navodilo za upravljanje KRATKO NAVODILO Frekvenčni pretvornik VAU 7.5/3 28100241401 11/12 1 Varnostni napotki Opozorilo na udar električnega toka! Smrtna nevarnost! Udar električnega toka utegne povzročiti
Prevodnik_v_polju_14_
14. Prevodnik v električnem polju Vsebina poglavja: prevodnik v zunanjem električnem polju, površina prevodnika je ekvipotencialna ploskev, elektrostatična indukcija (influenca), polje znotraj votline
Inspiron Namestitev in tehnični podatki
Inspiron 3670 Namestitev in tehnični podatki Model računalnika: Inspiron 3670 Regulativni model: D19M Regulativni tip: D19M005 Opombe, svarila in opozorila OPOMBA: OPOMBA označuje pomembne informacije,
Equation Chapter 1 Section 24Trifazni sistemi
zmenicni_signali_triazni_sistemi(4b).doc / 8.5.7/ Triazni sistemi (4) Spoznali smo že primer dvoaznega sistema pri vrtilnem magnetnem polju, ki sta ga ustvarjala dva para prečno postavljenih tuljav s azno
DKMPT
Tračnice, na katere so moduli fizično nameščeni. Napajalniki (PS), ki zagotavljajo ustrezno enosmerno napajalno napetost za module. Centralne procesne enote (CPU Central Processing Unit). Signalni moduli
NETGEAR R6100 WiFi Router Installation Guide
Blagovne znamke NETGEAR, logotip NETGEAR in Connect with Innovation so blagovne znamke in/ali registrirane blagovne znamke družbe NETGEAR, Inc. in/ali njenih povezanih družb v ZDA in/ali drugih državah.
Univerza v Ljubljani
Univerza v Ljubljani Fakulteta za elektrotehniko Jernej Plankar IR vmesnik za prenos zvoka Seminarska naloga pri predmetu Elektronska vezja V Ljubljani, avgust 2011 Jernej Plankar IR prenos zvoka 2 1 UVOD
Gorivna celica
Laboratorij za termoenergetiko Delovanje gorivnih celic Najbolj uveljavljeni tipi gorivnih celic Obstaja veliko različnih vrst gorivnih celic, najpogosteje se jih razvršča glede na vrsto elektrolita Obratovalna
MATLAB programiranje MATLAB... programski jezik in programersko okolje Zakaj Matlab? tipičen proceduralni jezik enostaven za uporabo hitro učenje prir
MATLAB programiranje MATLAB... programski jezik in programersko okolje Zakaj Matlab? tipičen proceduralni jezik enostaven za uporabo hitro učenje priročno programsko okolje tolmač interpreter (ne prevajalnik)
NETGEAR R6250 Smart WiFi Router Installation Guide
Blagovne znamke NETGEAR, logotip NETGEAR in Connect with Innovation so blagovne znamke in/ali registrirane blagovne znamke družbe NETGEAR, Inc. in/ali njenih povezanih družb v ZDA in/ali drugih državah.
Računalnik Dell OptiPlex XE3 z majhnim ohišjem Priročnik za servisiranje
Računalnik Dell OptiPlex XE3 z majhnim ohišjem Priročnik za servisiranje Regulativni model: D11M Regulativni tip: D11S004 Opombe, svarila in opozorila OPOMBA: OPOMBA označuje pomembne informacije, s katerimi
VETRNO KOLO
VETRNO KOLO KAZALO: Zgodovina Razvoj vetrnic Vrste vetrnic Značilnosti Uporaba Sestavni deli Delovanje Animacije Prednosti in slabosti Viri in literatura ZGODOVINA: Ljudje izkoriščamo energijo vetra že
Spoznajmo PowerPoint 2013
Spoznajmo PowerPoint 2013 13 Nova predstavitev Besedilo v predstavitvi Besedilo, ki se pojavlja v predstavitvah lahko premaknemo kamorkoli v diapozitivu. Kadar izdelamo diapozitiv z že ustvarjenimi okvirji
Microsoft PowerPoint - CAD sistemi - pletenje za pdf
ELEKTRONIKA V PLETILSTVU slabosti mehanskega nadzora pletilskih procesov dragi mehanski nadzorni sistemi počasnost in okornost delovanja težavna regulacija počasen odziv obraba, staranje (trenje, rjavenje,...)
INFORMATIKA OSNOVNI POJMI INFORMATIKE Računalnik je elektronska naprava za obdelavo podatkov Računalništvo je veda, ki se ukvarja z računalniki (razvo
INFORMATIKA OSNOVNI POJMI INFORMATIKE Računalnik je elektronska naprava za obdelavo podatkov Računalništvo je veda, ki se ukvarja z računalniki (razvojem.) Informacija je sklop urejenih podatkov, ki nam
Šolski center celje
ŠOLSKI CENTER CELJE Gimnazija Lava DVORIŠČNA VRATA NA DALJINSKO UPRAVLJANJE MENTOR: Matjaž Cizej, univ. dipl. inž. AVTOR: Roman Leban, L-4.F Celje, marec 2010 KAZALO VSEBINE 1 POVZETEK /SUMMARY... 1 2
Microsoft PowerPoint - ads
Novosti pri analogni video-nadzorni opremi Junij 2012 1. Dnevno/nočna kamera ADS-CAM-K2DNC 2. Snemalniki ADS-LIGHT: ADS-0404DH ADS-0804DH ADS-1604DH ADS-0404HED ADS-CAM-K2DNC Dnevno / nočna kamera z IR
seminarska_naloga_za_ev
Univerza v Ljubljani Fakulteta za elektrotehniko Matevž Seliger 8-kanalni Lightshow Seminarska naloga pri predmetu: V Horjulu, junij 2008 Kazalo: 1 Uvod... 3 1.1 Namen in uporaba izdelka... 3 2 Delovanje...
innbox_f60_navodila.indd
Osnovna navodila Komunikacijski prehod Innbox F60 SFP AC Varnostna opozorila Pri uporabi opreme upoštevajte naslednja opozorila in varnostne ukrepe. Da bi v največji meri izkoristili najnovejšo tehnologijo
Inspiron Series Priročnik za servisiranje
Inspiron 22 3000 Series Priročnik za servisiranje Model računalnika: Inspiron 22 3265 Regulativni model: W17B Regulativni tip: W17B001 Opombe, svarila in opozorila OPOMBA: OPOMBA označuje pomembne informacije,
Microsoft Word - M doc
Državni izpitni center *M11145113* INFORMATIKA SPOMLADANSKI IZPITNI ROK NAVODILA ZA OCENJEVANJE Petek, 10. junij 2011 SPLOŠNA MATURA RIC 2011 2 M111-451-1-3 IZPITNA POLA 1 1. b 2. a 3. Pojem se povezuje
Inspiron 17 5000 Namestitev in tehnični podatki
Inspiron 17 5000 Namestitev in tehnični podatki Model računalnika: Inspiron 5770 Regulativni model: P35E Regulativni tip: P35E001 Opombe, svarila in opozorila OPOMBA: OPOMBA označuje pomembne informacije,
Besedilo naloge:
naliza elektronskih komponent 4. Vaja: Preverjanje delovanja polprevodniških komponent Polprevodniške komponente v močnostnih stopnjah so pogosto vzrok odpovedi, zato je poznavanje metod hitrega preverjanja
COBISS3/Medknjižnična izposoja
3/Medknjižnična izposoja 2.2 KATALOG Katalog nam omogoča: iskanje gradiva prikaz izbranih bibliografskih zapisov ali pripadajočih podatkov o zalogi iz lokalne baze podatkov v formatu COMARC vpogled v stanje
UPS naprave Socomec Netys PL (Plug in) UPS naprava Socomec Netys PL moč: 600VA/360W; tehnologija: off-line delovanje; vhod: 1-fazni šuko 230VAC; izhod
UPS naprave Socomec Netys PL (Plug in) UPS naprava Socomec Netys PL moč: 600VA/360W; tehnologija: off-line delovanje; vhod: 1-fazni šuko 230VAC; izhod: 1-fazni 230VAC; 4 šuko vtičnica preko UPS-a; 2 šuko
Zavezanec za davek: Davčna številka:. Priloga 8 PODATKI V ZVEZI Z OLAJŠAVO ZA ZAPOSLOVANJE po 55.b, 56. in 57. členu ZDDPO-2 Za obdobje od do PODATKI
Zavezanec za davek: Davčna številka:. Priloga 8 PODATKI V ZVEZI Z OLAJŠAVO ZA ZAPOSLOVANJE po.b, 6. in 7. členu ZDDPO- Za obdobje od do PODATKI POD ZAP. ŠT..0,. IN.8 OBRAČUNA PREGLEDNICA A: Podatki v zvezi
Laboratorij za strojni vid, Fakulteta za elektrotehniko, Univerza v Ljubljani Komunikacije v Avtomatiki Vaje, Ura 8 Matej Kristan
Laboratorij za strojni vid, Fakulteta za elektrotehniko, Univerza v Ljubljani Komunikacije v Avtomatiki Vaje, Ura 8 Matej Kristan Vsebina današnjih vaj: ARP, NAT, ICMP 1. ARP
Poskusi s kondenzatorji
Poskusi s kondenzatorji Samo Lasič, Fakulteta za Matematiko in Fiziko, Oddelek za fiziko, Ljubljana Povzetek Opisani so nekateri poskusi s kondenzatorji, ki smo jih izvedli z merilnim vmesnikom LabPro.
Turingov stroj in programiranje Barbara Strniša Opis in definicija Definirajmo nekaj oznak: Σ abeceda... končna neprazna množica simbolo
Turingov stroj in programiranje Barbara Strniša 12. 4. 2010 1 Opis in definicija Definirajmo nekaj oznak: Σ abeceda... končna neprazna množica simbolov (običajno Σ 2) Σ n = {s 1 s 2... s n ; s i Σ, i =
Microsoft Word - 2. Merski sistemi-b.doc
2.3 Etaloni Definicija enote je največkrat šele natančno formulirana naloga, kako enoto realizirati. Primarni etaloni Naprava, s katero realiziramo osnovno ali izpeljano enoto je primarni etalon. Ima največjo
Računalnik Inspiron All-in-One Namestitev in tehnični podatki
Računalnik Inspiron 24 3000 All-in- One Namestitev in tehnični podatki Model računalnika: Inspiron 24-3477 Regulativni model: W21C Regulativni tip: W21C001 Opombe, svarila in opozorila OPOMBA: OPOMBA označuje
ŠOLA: SŠTS Šiška
Naslov vaje: MEHKO SPAJKANJE Ime in priimek: 1 1.) WW tehnika (Wire-Wrap) Nekoč, v prvih dneh radio-tehnike se spajkanje elementov ni izvajalo s spajkanjem, ampak z navijanjem žic in sponami. Takšni spoji
Navodila za dostavo oglasnih materialov na TV Slovenija Marec 2017
Navodila za dostavo oglasnih materialov na TV Slovenija Marec 2017 Tehnični standardi za dostavo oglasnih materialov na TV Slovenija Splošno TV Slovenija sprejema oglasni material v obliki datotek, katere
LINEARNA ELEKTRONIKA
Linearna elektronika - Laboratorijske vaje 1 LINERN ELEKTRONIK LBORTORIJSKE VJE Priimek in ime : Skpina : Datm : 1. vaja : LSTNOSTI DVOVHODNEG VEZJ Naloga : Za podano ojačevalno stopnjo izmerite h parametre,
SLOVENIJA
KONDENZATORJI VRSTE in UPORABA Anja Pomeni besed: Kondenzator je naprava za shranjevanje električnega naboja Kapaciteta kondenzatorja pove, koliko naboja lahko hrani pri napetosti enega volta. Kapaciteta
Vacon 100 FLOW Application Manual
vacon 100 flow FREKVENČNI PRETVORNIKI NAVODILA ZA NASTAVITEV PARAMETROV PREDGOVOR VACON 3 PREDGOVOR ID dokumenta: DPD01560E Datum: 18.3.2016 Različica programske opreme: FW0159V013 O TEM PRIROČNIKU Avtorske
Microsoft Word - CelotniPraktikum_2011_verZaTisk.doc
Elektrotehniški praktikum Sila v elektrostatičnem polju Namen vaje Našli bomo podobnost med poljem mirujočih nabojev in poljem mas, ter kakšen vpliv ima relativna vlažnost zraka na hitrost razelektritve
Referenčni priročnik za strojno opremo
Referenčni priročnik za strojno opremo HP-jevi poslovni namizni računalniki Model d330 v tankem ohišju stolp Št. dela dokumenta: 317676-BA2 september 2003 Osnovne informacije za nadgradnjo tega modela
Document ID / Revision : 0519/1.3 ID Issuer System (sistem izdajatelja identifikacijskih oznak) Navodila za registracijo gospodarskih subjektov
ID Issuer System (sistem izdajatelja identifikacijskih oznak) Navodila za registracijo gospodarskih subjektov Gospodarski subjekti Definicija: V skladu z 2. členom Izvedbene uredbe Komisije (EU) 2018/574
VPRAŠANJA ZA USTNI IZPIT PRI PREDMETU OSNOVE ELEKTROTEHNIKE II PREDAVATELJ PROF. DR. DEJAN KRIŽAJ Vprašanja so v osnovi sestavljena iz naslovov poglav
VPRAŠANJA ZA USTNI IZPIT PRI PREDMETU OSNOVE ELEKTROTEHNIKE II PREDAVATELJ PROF. DR. DEJAN KRIŽAJ Vprašanja so v osnovi sestavljena iz naslovov poglavij v učbeniku Magnetika in skripti Izmenični signali.
Prekinitveni način delovanja PLK Glavni program (OB1; MAIN) se izvaja ciklično Prekinitev začasno ustavi izvajanje glavnega programa in zažene izvajan
Prekinitveni način delovanja PLK Glavni program (OB1; MAIN) se izvaja ciklično Prekinitev začasno ustavi izvajanje glavnega programa in zažene izvajanje prekinitvene rutine Dogodek GLAVNI PROGRAM (MAIN-OB1)
Dell Precision Rack 7910 Lastniški priročnik
Dell Precision Rack 7910 Lastniški priročnik Regulativni model: E31S Regulativni tip: E31S001 Opombe, svarila in opozorila OPOMBA: OPOMBA označuje pomembne informacije, ki vam pomagajo bolje izkoristiti